Caída en ETF tecnológico genera interés de inversión
Desplome del mercado de memoria abre oportunidades ante la demanda de IA
El desplome superior al 20% del ETF enfocado en el mercado de la memoria ha despertado el interés de los inversionistas que consideran si es el momento adecuado para apostar por esta caída. Este fondo, centrado principalmente en la memoria DRAM y NAND, depende en gran medida de tres actores…
El desplome superior al 20% del ETF enfocado en el mercado de la memoria ha despertado el interés de los inversionistas que consideran si es el momento adecuado para apostar por esta caída. Este fondo, centrado principalmente en la memoria DRAM y NAND, depende en gran medida de tres actores clave: Micron, Samsung y SK Hynix. Con un enfoque concentrado, alrededor del 75% de sus participaciones se distribuyen entre estos gigantes del DRAM, cuyas ponderaciones varían entre 25.8% y 23.7%.
El sector de DRAM ha estado experimentando un auge debido al incremento en los precios de esta tecnología, impulsado por la creciente demanda de memoria de alta velocidad, crucial para mejorar el rendimiento de las unidades de procesamiento gráfico y otros chips de inteligencia artificial. Esta tendencia se ve reforzada por el auge de la inferencia de IA, que exige más capacidad de memoria que de computación, lo que asegura una demanda robusta de memoria HBM.
Sin embargo, la producción de HBM requiere significativamente más capacidad de obleas que la DRAM convencional, intensificando la actual escasez de suministro. A pesar de la naturaleza cíclica de este sector, los principales fabricantes han comenzado a asegurar contratos más prolongados, lo que podría estabilizar las fluctuaciones típicas del mercado y elevar los múltiplos de las acciones en el futuro. La escasez podría persistir más allá de 2030, según proyecciones del CEO de SK Hynix, marcando un punto crítico para el suministro de DRAM el próximo año.
